SEMICRAFT_design by hannet

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ARTWORK

01.
네비게이션, 블랙박스, DVR(HD-SDI), CCTV, 셋탑박스, 스탠드얼론 등 기기
02.
대학교 과제, 선행개발전문, 국책사업, 인공위성 안테나 장비
03.
암호해독장치,LTE장비, IOT, 생체인식 센서(지문,심박,홍채), 방산용 중앙처리장치, (항만,미사일,통신장비)
04.
Camera Module,
Samsung Exynos + PMIC,
퀄컴+PMIC, build-up,
Server(Rack Type),
AC Control(SMPS, 220V)
05.
RF(ANTENA(75옴, 50옴)1.8GHZ, 2.4GHZ 기지국)
06.
DSP, FPGA(PIN SWAP), DDR2, DDR3, PCI SLOT, PMIC
07.
KT telecap(도어락), LED BAR
08.
Flexible(RIGID PCB) Sensor
09.
EMC인증설계(방사, Case Earth GND, CLK Control, Return Current Control, Impdance Control)
10.
네비게이션, 블랙박스, DVR(HD-SDI), CCTV, 셋탑박스, 스탠드얼론 등 기기
11.
네비게이션, 블랙박스, DVR(HD-SDI), CCTV, 셋탑박스, 스탠드얼론 등 기기
12.
네비게이션, 블랙박스, DVR(HD-SDI), CCTV, 셋탑박스, 스탠드얼론 등 기기

Item	Specification
Layer	Max GBL
Size	520x680mm
Thickness	6.8mm
Pitch	0.4Pitch(@3.2~3.8mmT)
Impedance	±8%
Gold Plating Thickness	ENIG/Electro Gold 0.03~1.5um
Min Trace Width	50wm (Inner Layer)
Aspect ratio	27
Option	BVH, HPL Back Drilling, Build-Up
Drilled Via Size	Min 0.15 ~ 0.3

Item	Specification
Surface Finishes	ENIG / E-less Gold / Electro Gold
Drill to copper	0.1(DUT Area) 0.15(Other Area)
Stacked Microvias	Yes
Back Drill	0.4Pitch
Laser Drilled Microvias	0.1
Blind Mechanical Vias	0.15
Solder Mask Dam	Min 0.1
Routing Tolerance	±0.15
External Trace / Space Internal Trace / Space	0.08/0.08 0.065/0.065
Layer	610*720

Item	Specification
Layer	Max GBL
Size	520x680mm
Thickness	6.8mm
Pitch	0.4Pitch(@3.2~3.8mmT)
Impedance	±8%
Gold Plating Thickness	ENIG/Electro Gold 0.03~1.5um
Min Trace Width	50wm (Inner Layer)
Aspect ratio	27
Option	BVH, HPL Back Drilling, Build-Up
Drilled Via Size	Min 0.15 ~ 0.3

Item	Specification
Surface Finishes	ENIG / E-less Gold / Electro Gold
Drill to copper	0.1(DUT Area) 0.15(Other Area)
Stacked Microvias	Yes
Back Drill	0.4Pitch
Laser Drilled Microvias	0.1
Blind Mechanical Vias	0.15
Solder Mask Dam	Min 0.1
Routing Tolerance	±0.15
External Trace / Space Internal Trace / Space	0.08/0.08 0.065/0.065
Layer	610*720

Item	Specification
Layer	Max GBL
Size	520x680mm
Thickness	6.8mm
Pitch	0.4Pitch(@3.2~3.8mmT)
Impedance	±8%
Gold Plating Thickness	ENIG/Electro Gold 0.03~1.5um
Min Trace Width	50wm (Inner Layer)
Aspect ratio	27
Option	BVH, HPL Back Drilling, Build-Up
Drilled Via Size	Min 0.15 ~ 0.3

Item	Specification
Surface Finishes	ENIG / E-less Gold / Electro Gold
Drill to copper	0.1(DUT Area) 0.15(Other Area)
Stacked Microvias	Yes
Back Drill	0.4Pitch
Laser Drilled Microvias	0.1
Blind Mechanical Vias	0.15
Solder Mask Dam	Min 0.1
Routing Tolerance	±0.15
External Trace / Space Internal Trace / Space	0.08/0.08 0.065/0.065
Layer	610*720

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)

구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	설비능력		비 고
구분	Line	MOUNTER (1호기)	MOUNTER (2호기)	MOUNTER (3호기)	MOUNTER (4호기)	REFLOW	CPH	일일(10H)	비 고
생산	A	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	YV100X-S	N2(질소)	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
생산	A	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	0.2 sec (18,000점)	10 ZONE	72,000	3,400	IPC CHIP 기준
(생산 모델 특성에 따라 변동 있음)